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183億人以上の米国ドル!キオキシアは、3D NANDを建設するために大きな金額を費やすことを意図しています工場

日刊工業新聞は、岩手県の北上工場で3D NANDフラッシュメモリプラントを建設することを計画している第12回報告しました。投資は2兆円(183億780万ドル)に達すると予想されます。新しいプラントは2023年にオペレーションを開始します。


juheng.comは、クラウドや5Gの通信などのテクノロジによって推進され、メモリに対する中長期的な需要が有望であると指摘しました。 Kioxiaは、インテルのNAND事業を購入した南韓国のSamsungとSK Hynixと競争することを目指して、設備投資に大きな金額を投資しました。

Beichang PlantのKioxiaの新工場は「K2」と呼ばれ、2020年上半期に事業を開始した「K1」工場の2倍であると予想されています。キオキシアはすでに約15万平方メートルの土地の準備を始めています。 K1の東と北、K1の南東部の土地を取得する方法を探しています。

K2工場で使用されている製造設備は、ヨッカチプラントの既存の設備に基づいており、これはキオキアの主な生産力です。 2兆円の投資では、K2工場と補助施設の建設費に加えて、四国工場の設備補足費用も含まれています。設備投資の面では、キオキシアは過去と同じアプローチを採用し、そのパートナーウエスタンデジタルとのコストを共有することができます。

K2工場の建設は2022年春のまわりで始まります。これは、2023年の春に植物が完成すると予想され、3D NANDフラッシュメモリの製造は数ヶ月後に始まります。現時点では、キオキシア四日市工場の新工場ビルも建設中です。プロジェクトは2つのフェーズに分けられます。プロジェクトの第1段階は、2022の春に完了する予定です。

国際的な状況が変化し続けるにつれて、米国とヨーロッパを含む場所は半導体自治のプロセスを進めています。また、日本は半導体製造の重要性を認識しており、投資の魅力と国内サプライチェーンの再建を加速しています。